propiedades do produto
TIPO
DESCRIBE
categoría
Produtos semicondutores discretos
Transistor - FET, MOSFET - Único
fabricante
Tecnoloxías Infineon
serie
CoolGaN™
Paquete
Cinta e bobina (TR)
Banda de corte (CT)
Carrete personalizado Digi-Reel®
Estado do produto
descontinuado
Tipo FET
Canle N
tecnoloxía
GaNFET (nitruro de galio)
Tensión drenaxe-fonte (Vdss)
600 V
Corrente a 25 °C - Drenaxe continua (Id)
31A (Tc)
Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado)
-
Resistencia activada (máx.) en diferentes Id, Vgs
-
Vgs(th) (máximo) en diferentes Ids
1,6 V @ 2,6 mA
Vgs (máx.)
-10V
Capacidade de entrada (Ciss) a diferentes Vds (máx.)
380pF @ 400V
Función FET
-
Potencia disipada (máx.)
125 W (Tc)
Temperatura de operación
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
tipo de instalación
Tipo de montaxe en superficie
Embalaxe do dispositivo do provedor
PG-DSO-20-87
Paquete/Envolvente
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm de ancho)
Número básico do produto
IGOT60
Medios e Descargas
TIPO DE RECURSOS
ENLACE
Especificacións
IGOT60R070D1
Guía de selección de GaN
Breve de GaN HEMT CoolGaN™ 600 V e-mode
Outros documentos relacionados
GaN en adaptadores/cargadores
GaN en servidor e telecomunicacións
Fiabilidade e cualificación de CoolGaN
Por que CoolGaN
GaN na carga sen fíos
arquivo de vídeo
Plataforma de avaliación de media ponte HEMT CoolGaN™ 600V e modo con GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™: o novo paradigma de poder
Placa de evaluación PFC de tótem de ponte completa de 2500 W usando CoolGaN™ 600 V
Especificacións HTML
Breve de GaN HEMT CoolGaN™ 600 V e-mode
IGOT60R070D1
Clasificación Ambiental e Exportación
ATRIBUTOS
DESCRIBE
Estado RoHS
Cumpre coa especificación ROHS3
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL)
3 (168 horas)
Estado REACH
Produtos non REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
