propiedades do produto
TIPO
DESCRIBE
categoría
Produtos semicondutores discretos
Transistor - FET, MOSFET - Matriz
fabricante
Tecnoloxías Infineon
serie
HEXFET®
Paquete
Cinta e bobina (TR)
Banda de corte (CT)
Carrete personalizado Digi-Reel®
Estado do produto
en stock
Tipo FET
2 canles N (dual)
Función FET
porta de nivel lóxico
Tensión drenaxe-fonte (Vdss)
60 V
Corrente a 25 °C - Drenaxe continua (Id)
8A
Resistencia activada (máx.) en diferentes Id, Vgs
17,8 miliohmios @ 8A, 10V
Vgs(th) (máximo) en diferentes Ids
4V @ 50µA
Carga de porta (Qg) a diferentes Vgs (máx.)
36 nC @ 10 V
Capacidade de entrada (Ciss) a diferentes Vds (máx.)
1330pF @ 30V
Potencia máx
2W
Temperatura de operación
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
tipo de instalación
Tipo de montaxe en superficie
Paquete/Envolvente
8-SOIC (0,154″, 3,90 mm de ancho)
Embalaxe do dispositivo do provedor
8-SO
Número básico do produto
IRF7351
Medios e Descargas
TIPO DE RECURSOS
ENLACE
Especificacións
IRF7351PBF
Outros documentos relacionados
Sistema de numeración de pezas IR
Módulos de formación de produtos
Circuítos integrados de alta tensión (controladores de porta HVIC)
Produtos destacados
Sistemas de procesamento de datos
Especificacións HTML
IRF7351PBF
Modelo EDA/CAD
IRF7351TRPBF de Ultra Librarian
Modelo de simulación
Modelo IRF7351 Spice
Clasificación Ambiental e Exportación
ATRIBUTOS
DESCRIBE
Estado RoHS
Cumpre coa especificación ROHS3
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL)
1 (ilimitado)
Estado REACH
Produtos non REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
