propiedades do produto:
| TIPO | DESCRIBE |
| categoría | Circuito integrado (IC) Integrado - FPGA (Field Programmable Gate Array) |
| fabricante | AMD Xilinx |
| serie | Spartan®-6 LX |
| Paquete | bandexa |
| estado do produto | en stock |
| Número de LAB/CLB | 1139 |
| Número de elementos/unidades lóxicas | 14579 |
| Total de bits de RAM | 589824 |
| Conta de E/S | 232 |
| Tensión - Alimentado | 1,14 V ~ 1,26 V |
| tipo de instalación | Tipo de montaxe en superficie |
| Temperatura de operación | -40 °C ~ 100 °C (TJ) |
| Paquete/Envolvente | 324-LFBGA, CSPBGA |
| Embalaxe do dispositivo do provedor | 324-CSPBGA (15 x 15) |
| Número básico do produto | XC6SLX16 |
informar dun erro
Nova busca paramétrica
Clasificación ambiental e de exportación:
| ATRIBUTOS | DESCRIBE |
| Estado RoHS | Cumpre coa especificación ROHS3 |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estado REACH | Produtos non REACH |
| ECCN | 3A991D |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
Notas:
1. Todas as tensións son relativas á terra.
2. Consulte Rendementos de interfaces para interfaces de memoria na Táboa 25. O rango de rendemento estendido especifícase para deseños que non utilizan o
rango de tensión estándar VCCINT.O rango de tensión estándar VCCINT utilízase para:
• Deseños que non utilicen MCB
• Dispositivos LX4
• Dispositivos dos paquetes TQG144 ou CPG196
• Dispositivos con grao de velocidade -3N
3. A caída de tensión máxima recomendada para VCCAUX é de 10 mV/ms.
4. Durante a configuración, se VCCO_2 é de 1,8 V, entón VCCAUX debe ser de 2,5 V.
5. Os dispositivos -1L requiren VCCAUX = 2,5 V cando se usan os LVDS_25, LVDS_33, BLVDS_25, LVPECL_25, RSDS_25, RSDS_33, PPDS_25,
e estándares de E/S PPDS_33 en entradas.LVPECL_33 non é compatible cos dispositivos -1L.
6. Os datos de configuración mantense aínda que o VCCO caia a 0V.
7. Inclúe VCCO de 1,2 V, 1,5 V, 1,8 V, 2,5 V e 3,3 V.
8. Para os sistemas PCI, o transmisor e o receptor deberían ter subministracións comúns para VCCO.
9. Os dispositivos cun grao de velocidade -1L non admiten Xilinx PCI IP.
10. Non supere un total de 100 mA por banco.
11. Requírese VBATT para manter a chave AES da RAM con respaldo da batería (BBR) cando non se aplica VCCAUX.Unha vez que se aplica VCCAUX, pode ser VBATT
desconectado.Cando non se utiliza BBR, Xilinx recomenda conectarse a VCCAUX ou GND.Non obstante, pódese desconectar VBATT. Folla de datos Spartan-6 FPGA: características de CC e de conmutación
DS162 (v3.1.1) 30 de xaneiro de 2015
www.xilinx.com
Especificación do produto
4
Táboa 3: Condicións de programación de eFUSE(1)
Símbolo Descrición Min Typ Max Unidades
VFS (2)
Alimentación de tensión externa
3,2 3,3 3,4 V
IFS
Corrente de alimentación VFS
– – 40 mA
VCCAUX Tensión de alimentación auxiliar relativa a GND 3,2 3,3 3,45 V
RFUSE(3) Resistencia externa do pin RFUSE a GND 1129 1140 1151
Ω
VCCINT
Tensión de alimentación interna relativa a GND 1,14 1,2 1,26 V
tj
Rango de temperatura
15 – 85 °C
Notas:
1. Estas especificacións aplícanse durante a programación da chave eFUSE AES.A programación só se admite a través de JTAG. Só é a clave AES
compatible nos seguintes dispositivos: LX75, LX75T, LX100, LX100T, LX150 e LX150T.
2. Ao programar eFUSE, VFS debe ser inferior ou igual a VCCAUX.Cando non está programando ou cando non se usa eFUSE, Xilinx
recomenda conectar VFS a GND.Non obstante, o VFS pode estar entre GND e 3,45 V.
3. Requírese unha resistencia RFUSE cando se programa a chave eFUSE AES.Cando non está programando ou cando non se usa eFUSE, Xilinx
recomenda conectar o pin RFUSE a VCCAUX ou GND.Non obstante, RFUSE pode estar desconectado.
